TWOJA PRZEGLĄDARKA JEST NIEAKTUALNA.

Wykryliśmy, że używasz nieaktualnej przeglądarki, przez co nasz serwis może dla Ciebie działać niepoprawnie. Zalecamy aktualizację lub przejście na inną przeglądarkę.

A A⁺ A⁺⁺

A A A A

pl • en

K72

Osiągnięcia naukowe

Osiągnięcia naukowe:
znaczny udział w opracowaniu technologii struktur półprzewodnikowych zawierających warstwy rozcieńczonych azotków GaInNAs i GaNAs, w tym modernizację układu dozownika gazów stanowiska MOVPE, kalibrację systemu epitaksjalnego oraz przeprowadzenie badań materiałowych;
znaczny udział w opracowaniu technologii półprzewodnikowych laserów krawędziowych wysokiej mocy emitujących promieniowanie o długości 1240 nm oraz laserów emitujących promieniowanie z zakresów drugiego i trzeciego okna telekomunikacyjnego zawierających studnie kwantowe GaInNAs/GaAs;
znaczny udział w opracowaniu pierwszego jednomodowego lasera DFB emitującego promieniowanie o długości fali 1,5 mm pracującego w trybie pracy CW, w konstrukcji którego zastosowano studnie kwantowe wykonane ze stopu GaInNAs bez dodatku antymonu;
opracowanie algorytmu charakteryzacji strukturalnej struktur z warstwami wieloskładnikowych stopów GaInNAs, łącząc analizę pomiarów HRXRD z badaniami pełnej struktury elektronowej studni kwantowych prowadzonymi przy użyciu spektroskopii odbiciowej CER lub PR – wynikiem opracowanego algorytmu jest weryfikacja poprawności interpretacji wyników pomiarów dyfraktometrycznych tego rodzaju struktur epitaksjalnych;
przeprowadzenie analizy wpływu niejednorodności warstw GaInNAs tworzących studnie kwantowe na właściwości optyczne heterostruktur GaInNAs/GaAs QWs oraz eksperymentalna weryfikacja zaobserwowanych zależności między niejednorodnościami warstw a właściwościami optycznymi rzeczywistych struktur epitaksjalnych;
implementację obliczeń struktur elektronowych niejednorodnych studni kwantowych, wykonanych z wieloskładnikowych stopów półprzewodnikowych, wykazujących ciągłe i/lub skokowe zmiany profili składu w kierunku wzrostu do opracowanego przeze mnie algorytmu charakteryzacji strukturalnej. Takie rozwinięcie opracowanego algorytmu skutkowało znaczną poprawą dokładności charakteryzacji strukturalnej struktur zawierających studnie kwantowe GaInNAs/GaAs. Opracowany algorytm charakteryzacji strukturalnej stał się cennym narzędziem badawczym na tle prezentowanych w literaturze sposobów charakteryzacji tego rodzaju struktur półprzewodnikowych;
zaproponowanie zwiększenia sprawności fotodetektorów ze studniami kwantowymi GaInNAs/GaAs w wyniku kompensacji negatywnego wpływu kwantowego efektu Starka uzyskanej dzięki odpowiednim modyfikacjom budowy studni kwantowych i ich struktury elektronowej;
opracowanie metodyki badania wpływu wygrzewania epitaksjalnych struktur laserowych na właściwości optyczne kwantowych obszarów czynnych GaInNAs/GaAs MQW z uwęglę-dnieniem: wygrzewania in-situ studni kwantowych lasera podczas osadzania górnych warstw falowodowych, wpływu obecności domieszkowanych warstw struktury lasera na możliwość pomiarów i porównania widm fotoluminescencji studni kwantowych będących częścią kompletnych struktur laserowych, oraz krótkich czasów wygrzewania studni kwantowych GaInNAs dających efekt przegrzania i znacznej degradacji ich właściwości optycznych. W efekcie prowadzonych przeze mnie intensywnych badań wygrzewania RTA struktur GaInNAs/GaAs MQW wyeliminowano efekt przegrzania studni (ang. overannealing) i zwiększono sprawności wytwarzanych techniką MBE laserów krawędziowych – prace te w znaczący sposób przyczyniły się zarówno do wykonania laserów dużej mocy, jak i do wykonania jednomodowych laserów DFB pracujących w trybie CW.

Drukuj

Politechnika Wrocławska © 2024